1. 介绍 8英寸Sic芯片是一种新型半导体材料，具有高温、高压、高频等特性，被广泛应用于电力电子、光电子、微电子等领域。而GaN2是一种新型的半导体材料，具有高电子迁移率、高饱和漏电流密度等特性，被认为是未来半导体材料的发展方向。研究8英寸Sic芯片上GaN2材料的制备和性能具有重要的意义。 2. 制备方法 制备8英寸Sic芯片上GaN2材料的方法主要有物理气相沉积、分子束外延和金属有机化学气相沉积等。其中，金属有机化学气相沉积是一种较为成熟的制备方法，具有制备高质量GaN2材料的优势。 3